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H11G1W

H11G1W

僅供參考

型號 H11G1W
PNEDA編號 H11G1W
描述 OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,732
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11G1W資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11G1W
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11G1W, H11G1W數據表 (總頁數: 6, 大小: 129.69 KB)
PDFH11G3W數據表 封面
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H11G1W規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離5300Vrms
電流傳輸比(最小值)1000% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)5µs, 100µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Darlington with Base
電壓-輸出(最大值)100V
電流-輸出/通道-
電壓-正向(Vf)(典型值)1.3V
電流-直流正向(If)(最大值)60mA
Vce飽和度(最大值)1V
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱6-DIP (0.400", 10.16mm)
供應商設備包裝6-DIP

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5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

300% @ 1.6mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

1.4µs, 8µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington with Base

電壓-輸出(最大值)

7V

電流-輸出/通道

60mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.3V

電流-直流正向(If)(最大值)

20mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Sharp Microelectronics

系列

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

5% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

40% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

10mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

-30°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

4-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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Lite-On Inc.

系列

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頻道數

1

電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

500% @ 1.6mA

電流傳輸比(最大值)

2600% @ 1.6mA

開啟/關閉時間(典型值)

100ns, 2µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington with Base

電壓-輸出(最大值)

18V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.1V

電流-直流正向(If)(最大值)

20mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

-20°C ~ 85°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.400", 10.16mm)

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頻道數

1

電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

100% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

200% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 3µs

上升/下降時間(典型值)

2µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.25V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

安裝類型

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