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H11G2S

H11G2S

僅供參考

型號 H11G2S
PNEDA編號 H11G2S
描述 OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,808
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11G2S資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11G2S
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11G2S, H11G2S數據表 (總頁數: 6, 大小: 129.69 KB)
PDFH11G3W數據表 封面
H11G3W數據表 頁面 2 H11G3W數據表 頁面 3 H11G3W數據表 頁面 4 H11G3W數據表 頁面 5 H11G3W數據表 頁面 6

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H11G2S規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離5300Vrms
電流傳輸比(最小值)1000% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)5µs, 100µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Darlington with Base
電壓-輸出(最大值)80V
電流-輸出/通道-
電壓-正向(Vf)(典型值)1.3V
電流-直流正向(If)(最大值)60mA
Vce飽和度(最大值)1V
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝6-SMD

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開啟/關閉時間(典型值)

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上升/下降時間(典型值)

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輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

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電流傳輸比(最小值)

20% @ 1mA

電流傳輸比(最大值)

300% @ 1mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

6µs, 8µs

輸入類型

AC, DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-隔離

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電流傳輸比(最小值)

9% @ 16mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

400ns, 1µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

20V

電流-輸出/通道

8mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.55V

電流-直流正向(If)(最大值)

20mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

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電壓-隔離

4000Vrms

電流傳輸比(最小值)

63% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

125% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

6µs, 5µs

上升/下降時間(典型值)

3µs, 4.7µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

30mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

40% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

80% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

10µs, 9µs

上升/下降時間(典型值)

6µs, 8µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.65V (Max)

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

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