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HAT2140H-EL-E

HAT2140H-EL-E

僅供參考

型號 HAT2140H-EL-E
PNEDA編號 HAT2140H-EL-E
描述 MOSFET N-CH 100V 25A 5LFPAK
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 6,300
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HAT2140H-EL-E資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HAT2140H-EL-E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
HAT2140H-EL-E, HAT2140H-EL-E數據表 (總頁數: 6, 大小: 68.32 KB)
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HAT2140H-EL-E規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)25A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)7V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs16mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs105nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6500pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)30W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝LFPAK
包裝/箱SC-100, SOT-669

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4540pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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*

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

205mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 630µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1550pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

231W (Tc)

工作溫度

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Surface Mount

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5Ohm @ 1A, 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3650pF @ 25V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

568W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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