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HAT2171H-EL-E

HAT2171H-EL-E

僅供參考

型號 HAT2171H-EL-E
PNEDA編號 HAT2171H-EL-E
描述 MOSFET N-CH 40V 40A 5LFPAK
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 8,442
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HAT2171H-EL-E資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HAT2171H-EL-E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
HAT2171H-EL-E, HAT2171H-EL-E數據表 (總頁數: 10, 大小: 102.74 KB)
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HAT2171H-EL-E規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)40A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)7V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs52nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3750pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)25W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝LFPAK
包裝/箱SC-100, SOT-669

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.8A (Ta), 19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1911pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

93W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5305pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.38Ohm @ 750mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

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38nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

195W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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TAJD686K016RNJ

TAJD686K016RNJ

CAP TANT 68UF 10% 16V 2917