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HCNW135-000E

HCNW135-000E

僅供參考

型號 HCNW135-000E
PNEDA編號 HCNW135-000E
描述 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8DIP
制造商 Broadcom
單價 請求報價
庫存 5,886
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HCNW135-000E資源

品牌 Broadcom
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HCNW135-000E
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出

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HCNW135-000E規格

制造商Broadcom Limited
系列-
頻道數1
電壓-隔離5000Vrms
電流傳輸比(最小值)5% @ 16mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)2µs, 2µs (Max)
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Transistor with Base
電壓-輸出(最大值)20V
電流-輸出/通道8mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.68V
電流-直流正向(If)(最大值)25mA
Vce飽和度(最大值)-
工作溫度-55°C ~ 85°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.400", 10.16mm)
供應商設備包裝8-DIP

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電流傳輸比(最小值)

63% @ 5mA

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125% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

6µs, 7µs

上升/下降時間(典型值)

3µs, 5µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.6V

電流-直流正向(If)(最大值)

75mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

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電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

125% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

4.2µs, 23µs

上升/下降時間(典型值)

3µs, 14µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.65V (Max)

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Broadcom Limited

系列

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頻道數

1

電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

20% @ 1mA

電流傳輸比(最大值)

300% @ 1mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

AC, DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

35V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

-30°C ~ 100°C

安裝類型

Surface Mount

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

19% @ 16mA

電流傳輸比(最大值)

50% @ 16mA

開啟/關閉時間(典型值)

100ns, 400ns

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

20V

電流-輸出/通道

8mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.4V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

-40°C ~ 85°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.400", 10.16mm)

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

50% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

600% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

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上升/下降時間(典型值)

2µs, 3µs

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