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HD1A3M(0)-T1-AZ

HD1A3M(0)-T1-AZ

僅供參考

型號 HD1A3M(0)-T1-AZ
PNEDA編號 HD1A3M-0-T1-AZ
描述 TRANSISTOR NPN SC62-3
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 5,850
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HD1A3M(0)-T1-AZ資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HD1A3M(0)-T1-AZ
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
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HD1A3M(0)-T1-AZ規格

制造商Renesas Electronics America
系列HD1
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
電阻-基本(R1)1kOhms
電阻-發射極基(R2)1kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 1A, 2V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡-
功率-最大2W
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝SC-62

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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電阻-發射極基(R2)

100kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 250µA, 5mA

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