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HER103G A0G

HER103G A0G

僅供參考

型號 HER103G A0G
PNEDA編號 HER103G-A0G
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,714
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 19 - 十一月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HER103G A0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HER103G A0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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HER103G A0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

6pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

TS/SOD-123FL

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

680mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

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供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)

7.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 35V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

510mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-123F

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SOD-123F

工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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