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HER103G-TP

HER103G-TP

僅供參考

型號 HER103G-TP
PNEDA編號 HER103G-TP
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 5,166
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HER103G-TP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HER103G-TP
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
HER103G-TP, HER103G-TP數據表 (總頁數: 3, 大小: 432.06 KB)
PDFHER105G-TP數據表 封面
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HER103G-TP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F20pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AC, DO-15, Axial
供應商設備包裝DO-41
工作溫度-結點-55°C ~ 125°C

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電流-平均整流(Io)

1A

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950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

510mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

22ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 40V

電容@ Vr,F

170pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

1005 (2512 Metric)

供應商設備包裝

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600V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.2V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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