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HER107G R1G

HER107G R1G

僅供參考

型號 HER107G R1G
PNEDA編號 HER107G-R1G
描述 DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 7,776
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HER107G R1G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HER107G R1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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HER107G R1G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 800V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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100V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1500V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20µs

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 1500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

SOD-57, Axial

供應商設備包裝

SOD-57

工作溫度-結點

140°C (Max)

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Micro Commercial Co

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 30V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-123

供應商設備包裝

SOD-123

工作溫度-結點

-55°C ~ 125°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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60V

電流-平均整流(Io)

3.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

610mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

D-Pak

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 9.4A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

28pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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