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HER307GT-G

HER307GT-G

僅供參考

型號 HER307GT-G
PNEDA編號 HER307GT-G
描述 DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AA
制造商 Comchip Technology
單價 請求報價
庫存 3,744
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HER307GT-G資源

品牌 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HER307GT-G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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HER307GT-G規格

制造商Comchip Technology
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 800V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AA, DO-27, Axial
供應商設備包裝DO-27
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

85A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 85A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

600mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 600mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

875mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 50V

電容@ Vr,F

25pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

A, Axial

供應商設備包裝

-

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S1B-M3/61T

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 100V

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1.4A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.5V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

42pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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