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HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS

僅供參考

型號 HGT1S12N60A4DS
PNEDA編號 HGT1S12N60A4DS
描述 IGBT 600V 54A 167W D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,916
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 18 - 四月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HGT1S12N60A4DS資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HGT1S12N60A4DS
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
HGT1S12N60A4DS, HGT1S12N60A4DS數據表 (總頁數: 12, 大小: 580.48 KB)
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HGT1S12N60A4DS規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)54A
電流-集電極脈沖(Icm)96A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 12A
功率-最大167W
開關能量55µJ (on), 50µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用78nC
25°C時的Td(開/關)17ns/96ns
測試條件390V, 12A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)30ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 20A

功率-最大

215W

開關能量

95µJ (on), 100µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

68nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/115ns

測試條件

390V, 13A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

28ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

STMicroelectronics

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

240A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 60A

功率-最大

375W

開關能量

750µJ (on), 550µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

334nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/208ns

測試條件

400V, 60A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

74ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247 Long Leads

制造商

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系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PLUS247™-3

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 50A

功率-最大

535W

開關能量

4.4mJ (on), 1.4mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

311nC

25°C時的Td(開/關)

118ns/282ns

測試條件

600V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

256ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

45A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 15A

功率-最大

110W

開關能量

2.7mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

85nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/520ns

測試條件

600V, 15A, 56Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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