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HGTG18N120BN

HGTG18N120BN

僅供參考

型號 HGTG18N120BN
PNEDA編號 HGTG18N120BN
描述 IGBT 1200V 54A 390W TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 19 - 六月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HGTG18N120BN資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HGTG18N120BN
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
HGTG18N120BN, HGTG18N120BN數據表 (總頁數: 8, 大小: 112.8 KB)
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HGTG18N120BN規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)54A
電流-集電極脈沖(Icm)165A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 18A
功率-最大390W
開關能量800µJ (on), 1.8mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用165nC
25°C時的Td(開/關)23ns/170ns
測試條件960V, 18A, 3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

135A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.75V @ 15V, 20A

功率-最大

235W

開關能量

1.66mJ (on), 4.44mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

110nC

25°C時的Td(開/關)

29ns/275ns

測試條件

960V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

152ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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38A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 25A

功率-最大

125W

開關能量

1.1mJ (on), 600µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

300V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

電流-集電極脈沖(Icm)

190A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 50A

功率-最大

625W

開關能量

456µJ (on), 635µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

165nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/85ns

測試條件

400V, 50A, 4.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

13A

電流-集電極脈沖(Icm)

52A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

功率-最大

60W

開關能量

100µJ (on), 120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/86ns

測試條件

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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