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HGTG30N60C3D

HGTG30N60C3D

僅供參考

型號 HGTG30N60C3D
PNEDA編號 HGTG30N60C3D
描述 IGBT 600V 63A 208W TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 16,188
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HGTG30N60C3D資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HGTG30N60C3D
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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HGTG30N60C3D規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)63A
電流-集電極脈沖(Icm)252A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.8V @ 15V, 30A
功率-最大208W
開關能量1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用162nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)60ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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75A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 20A

功率-最大

290W

開關能量

115µJ (on), 195µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

35nC

25°C時的Td(開/關)

8ns/35ns

測試條件

390V, 20A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

240A

電流-集電極脈沖(Icm)

700A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 120A

功率-最大

1500W

開關能量

6.75mJ (on), 5.1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

412nC

25°C時的Td(開/關)

35ns/176ns

測試條件

600V, 100A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 12A

功率-最大

125W

開關能量

81µJ (on), 125µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

53nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/90ns

測試條件

390V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

31ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

160A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 40A

功率-最大

454W

開關能量

2.2mJ (on), 1.1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

212nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/145ns

測試條件

600V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

163ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3

制造商

IXYS

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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