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HN1B01F-GR(TE85L,F

HN1B01F-GR(TE85L,F

僅供參考

型號 HN1B01F-GR(TE85L,F
PNEDA編號 HN1B01F-GR-TE85L-F
描述 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,076
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HN1B01F-GR(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HN1B01F-GR(TE85L,F
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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HN1B01F-GR(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 6V
功率-最大300mW
頻率-過渡120MHz
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝SM6

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25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

220mV @ 50mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

功率-最大

2.75W

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

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工作溫度

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Surface Mount

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2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

350mW

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

25mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

400nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

500mW

頻率-過渡

450MHz

工作溫度

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