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HN2S01FUTE85LF

HN2S01FUTE85LF

僅供參考

型號 HN2S01FUTE85LF
PNEDA編號 HN2S01FUTE85LF
描述 DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V US6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,196
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HN2S01FUTE85LF資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HN2S01FUTE85LF
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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HN2S01FUTE85LF規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管配置3 Independent
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)10V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)100mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果500mV @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr20µA @ 10V
工作溫度-結點125°C (Max)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝US6

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.71V @ 1200A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 4000V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

640mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 45V

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

安裝類型

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 35V

工作溫度-結點

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安裝類型

Through Hole

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

2.5µA @ 75V

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安裝類型

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