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HS1B R3G

HS1B R3G

僅供參考

型號 HS1B R3G
PNEDA編號 HS1B-R3G
描述 DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 33,072
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HS1B R3G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HS1B R3G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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HS1B R3G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

7pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

85A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.75V @ 266.9A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 500mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

Mini SMA/SOD-123

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Standard

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50V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

電容@ Vr,F

2.5pF @ 0V, 1MHz

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