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HS1ML RUG

HS1ML RUG

僅供參考

型號 HS1ML RUG
PNEDA編號 HS1ML-RUG
描述 DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 8,064
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HS1ML RUG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HS1ML RUG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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HS1ML RUG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)-
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 1000V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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50V

電流-平均整流(Io)

300mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

6ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 75V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

30pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 200V

電容@ Vr,F

300pF @ 5V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

55ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

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