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HS2B R5G

HS2B R5G

僅供參考

型號 HS2B R5G
PNEDA編號 HS2B-R5G
描述 DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,354
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HS2B R5G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HS2B R5G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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HS2B R5G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F50pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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410mV @ 120A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40mA @ 15V

電容@ Vr,F

7200pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 40V

電容@ Vr,F

200pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電流-平均整流(Io)

1A

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1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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當前-反向泄漏@ Vr

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