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HS3BB M4G

HS3BB M4G

僅供參考

型號 HS3BB M4G
PNEDA編號 HS3BB-M4G
描述 DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,372
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HS3BB M4G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HS3BB M4G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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HS3BB M4G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 100V
電容@ Vr,F80pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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60V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

510mV @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 60V

電容@ Vr,F

75pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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SOD-123F

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60V

電流-平均整流(Io)

35A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 35A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

985mV @ 8A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

79pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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DO-214AB (SMC)

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40V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

250pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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