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HS3DB R5G

HS3DB R5G

僅供參考

型號 HS3DB R5G
PNEDA編號 HS3DB-R5G
描述 DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 16,848
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HS3DB R5G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HS3DB R5G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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HS3DB R5G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F80pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

10ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 30V

電容@ Vr,F

50pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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