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HSM1100GE3/TR13

HSM1100GE3/TR13

僅供參考

型號 HSM1100GE3/TR13
PNEDA編號 HSM1100GE3-TR13
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO215AA
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HSM1100GE3/TR13資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HSM1100GE3/TR13
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
HSM1100GE3/TR13, HSM1100GE3/TR13數據表 (總頁數: 2, 大小: 95.73 KB)
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HSM1100GE3/TR13規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果840mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-215AA, SMB Gull Wing
供應商設備包裝DO-215AA
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

700µA @ 80V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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