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HSM550GE3/TR13

HSM550GE3/TR13

僅供參考

型號 HSM550GE3/TR13
PNEDA編號 HSM550GE3-TR13
描述 DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO215AB
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 22 - 十二月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HSM550GE3/TR13資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HSM550GE3/TR13
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
HSM550GE3/TR13, HSM550GE3/TR13數據表 (總頁數: 2, 大小: 105.04 KB)
PDFHSM560G/TR13數據表 封面
HSM560G/TR13數據表 頁面 2

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HSM550GE3/TR13規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果650mV @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr250µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-215AB, SMC Gull Wing
供應商設備包裝DO-215AB
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 10A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

180µA @ 1200V

電容@ Vr,F

375pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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150V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

10V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

365mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 10V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

27pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

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