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HT18G A0G

HT18G A0G

僅供參考

型號 HT18G A0G
PNEDA編號 HT18G-A0G
描述 DIODE GEN PURP 1A TS-1
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 8,226
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HT18G A0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HT18G A0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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HT18G A0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)-
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 1000V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱T-18, Axial
供應商設備包裝TS-1
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 942A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40mA @ 300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Stud Mount

包裝/箱

DO-205AB, DO-9, Stud

供應商設備包裝

DO-205AB, DO-9

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制造商

ON Semiconductor

系列

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二極管類型

Silicon Carbide Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

650V

電流-平均整流(Io)

20A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 20A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 650V

電容@ Vr,F

866pF @ 1V, 100kHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

40ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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二極管類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

-

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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