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HTMN5130SSD-13

HTMN5130SSD-13

僅供參考

型號 HTMN5130SSD-13
PNEDA編號 HTMN5130SSD-13
描述 MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HTMN5130SSD-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HTMN5130SSD-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
HTMN5130SSD-13, HTMN5130SSD-13數據表 (總頁數: 6, 大小: 401.46 KB)
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HTMN5130SSD-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.9nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds218.7pF @ 25V
功率-最大1.7W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

*

FET類型

-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

制造商

EPC

系列

eGaN®

FET類型

2 N-Channel (Half Bridge)

FET功能

GaNFET (Gallium Nitride)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 40A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

475pF @ 15V, 1960pF @ 15V

功率-最大

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

Die

SQJ500EP

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

Automotive, AEC-Q101

FET類型

N and P-Channel Complementary

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

680mA (Ta), 460mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V, 63pF @ 10V

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供應商設備包裝

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-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate, 1.2V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

25pF @ 10V

功率-最大

120mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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