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HUF75339P3

HUF75339P3

僅供參考

型號 HUF75339P3
PNEDA編號 HUF75339P3
描述 MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,396
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HUF75339P3資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HUF75339P3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
HUF75339P3, HUF75339P3數據表 (總頁數: 12, 大小: 808.45 KB)
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HUF75339P3規格

制造商ON Semiconductor
系列UltraFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)75A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs130nC @ 20V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)200W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 52A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2880pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

130W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

64A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

81nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1970pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 130W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

54mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

214pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

530mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DFN2015H4-3

包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

980pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta), 52W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta), 65A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3100pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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