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HUF76423D3

HUF76423D3

僅供參考

型號 HUF76423D3
PNEDA編號 HUF76423D3
描述 MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,398
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HUF76423D3資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HUF76423D3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
HUF76423D3, HUF76423D3數據表 (總頁數: 10, 大小: 199.9 KB)
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HUF76423D3規格

制造商ON Semiconductor
系列UltraFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs32mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs34nC @ 10V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1060pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)85W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

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制造商

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

57A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 49A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

69nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4760pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

I2PAK (TO-262)

包裝/箱

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Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1931pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

315pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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