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HYB25D512800CE-5

HYB25D512800CE-5

僅供參考

型號 HYB25D512800CE-5
PNEDA編號 HYB25D512800CE-5
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
制造商 Qimonda
單價 請求報價
庫存 14,364
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HYB25D512800CE-5資源

品牌 Qimonda
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HYB25D512800CE-5
類別半導體內存IC內存
數據表
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HYB25D512800CE-5規格

制造商Qimonda
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP II

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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