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IAUT150N10S5N035ATMA1

IAUT150N10S5N035ATMA1

僅供參考

型號 IAUT150N10S5N035ATMA1
PNEDA編號 IAUT150N10S5N035ATMA1
描述 100V 150A 3.5MOHM TOLL
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,590
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IAUT150N10S5N035ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IAUT150N10S5N035ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IAUT150N10S5N035ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™-5
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)150A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.8V @ 110µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs87nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6110pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)166W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-HSOF-8-1
包裝/箱8-PowerSFN

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 15.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4670pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

565W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

T-MAX™ [B2]

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

235mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

830pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

58A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

143nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6420pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

330W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

460pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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