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IDB18E120ATMA1

IDB18E120ATMA1

僅供參考

型號 IDB18E120ATMA1
PNEDA編號 IDB18E120ATMA1
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,858
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDB18E120ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDB18E120ATMA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
IDB18E120ATMA1, IDB18E120ATMA1數據表 (總頁數: 8, 大小: 1,075.43 KB)
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IDB18E120ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)31A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.15V @ 18A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)195ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝PG-TO263-3
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

4A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 4A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

670µA @ 650V

電容@ Vr,F

130pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

490mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

15V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

330mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 15V

電容@ Vr,F

390pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

480mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

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