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IDB45E60ATMA1

IDB45E60ATMA1

僅供參考

型號 IDB45E60ATMA1
PNEDA編號 IDB45E60ATMA1
描述 DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,292
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDB45E60ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDB45E60ATMA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
IDB45E60ATMA1, IDB45E60ATMA1數據表 (總頁數: 8, 大小: 413.09 KB)
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IDB45E60ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)71A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2V @ 45A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)140ns
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝PG-TO263-3
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 10V

電容@ Vr,F

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500V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

9µA @ 500V

電容@ Vr,F

-

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