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IDC05S60CEX1SA1

IDC05S60CEX1SA1

僅供參考

型號 IDC05S60CEX1SA1
PNEDA編號 IDC05S60CEX1SA1
描述 DIODE SIC 600V 5A SAWN WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,326
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDC05S60CEX1SA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDC05S60CEX1SA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
IDC05S60CEX1SA1, IDC05S60CEX1SA1數據表 (總頁數: 5, 大小: 58.78 KB)
PDFIDC05S60CEX1SA1數據表 封面
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IDC05S60CEX1SA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)5A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 5A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr70µA @ 600V
電容@ Vr,F240pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

17pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

12µA @ 60V

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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