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IDD08SG60CXTMA2

IDD08SG60CXTMA2

僅供參考

型號 IDD08SG60CXTMA2
PNEDA編號 IDD08SG60CXTMA2
描述 DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO252-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,650
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDD08SG60CXTMA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDD08SG60CXTMA2
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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IDD08SG60CXTMA2規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)8A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.1V @ 8A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr70µA @ 600V
電容@ Vr,F240pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝PG-TO252-3
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-247-2

工作溫度-結點

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

55µA @ 100V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 45V

電容@ Vr,F

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