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IDH02G120C5XKSA1

IDH02G120C5XKSA1

僅供參考

型號 IDH02G120C5XKSA1
PNEDA編號 IDH02G120C5XKSA1
描述 DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 24,138
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDH02G120C5XKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDH02G120C5XKSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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IDH02G120C5XKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)2A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.65V @ 2A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr18µA @ 1200V
電容@ Vr,F182pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝PG-TO220-2-1
工作溫度-結點175°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

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速度

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

120V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

890mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

350µA @ 120V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

120V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 120V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 20V

電容@ Vr,F

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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