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IDH08G120C5XKSA1

IDH08G120C5XKSA1

僅供參考

型號 IDH08G120C5XKSA1
PNEDA編號 IDH08G120C5XKSA1
描述 DIODE SCHOTTKY 1200V 8A TO220-2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,328
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDH08G120C5XKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDH08G120C5XKSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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IDH08G120C5XKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)8A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.95V @ 8A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr40µA @ 1200V
電容@ Vr,F365pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝PG-TO220-2-1
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.45V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

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1V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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1.33V @ 150A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

24mA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

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200V

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950mV @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

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