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IDK02G65C5XTMA1

IDK02G65C5XTMA1

僅供參考

型號 IDK02G65C5XTMA1
PNEDA編號 IDK02G65C5XTMA1
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO263-2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,628
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDK02G65C5XTMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDK02G65C5XTMA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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IDK02G65C5XTMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)2A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 2A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr330µA @ 650V
電容@ Vr,F70pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝PG-TO263-2
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

350mV @ 1mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 30V

電容@ Vr,F

2.5pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.75V @ 16A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 650V

電容@ Vr,F

887pF @ 1V, 100kHz

安裝類型

Through Hole

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

2A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

380mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

電容@ Vr,F

160pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

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