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IDL08G65C5XUMA1

IDL08G65C5XUMA1

僅供參考

型號 IDL08G65C5XUMA1
PNEDA編號 IDL08G65C5XUMA1
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 8A VSON-4
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,578
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDL08G65C5XUMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDL08G65C5XUMA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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IDL08G65C5XUMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)8A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 8A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr140µA @ 650V
電容@ Vr,F250pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-PowerTSFN
供應商設備包裝PG-VSON-4
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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200V

電流-平均整流(Io)

1A

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920mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

500V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 500V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

電容@ Vr,F

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