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IDT6116SA45TPG

IDT6116SA45TPG

僅供參考

型號 IDT6116SA45TPG
PNEDA編號 IDT6116SA45TPG
描述 IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT6116SA45TPG資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT6116SA45TPG
類別半導體內存IC內存
數據表
IDT6116SA45TPG, IDT6116SA45TPG數據表 (總頁數: 11, 大小: 111.49 KB)
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IDT6116SA45TPG規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小16Kb (2K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁45ns
訪問時間45ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱24-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝24-PDIP

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

28-TSOP

71V3558S133PFGI

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

8Gb (512M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256b (32 x 8)

內存接口

1-Wire®

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

15µs

電壓-供電

-

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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48-TSOP

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