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IDT71024S12TY

IDT71024S12TY

僅供參考

型號 IDT71024S12TY
PNEDA編號 IDT71024S12TY
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,336
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71024S12TY資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71024S12TY
類別半導體內存IC內存

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IDT71024S12TY規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
供應商設備包裝32-SOJ

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

32-SOJ

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系列

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

96ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Maxim Integrated

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

36-DIP Module (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

36-EDIP

SST38VF6403B-70-5I-EKE

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

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