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IDT71256L35Y8

IDT71256L35Y8

僅供參考

型號 IDT71256L35Y8
PNEDA編號 IDT71256L35Y8
描述 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71256L35Y8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71256L35Y8
類別半導體內存IC內存
數據表
IDT71256L35Y8, IDT71256L35Y8數據表 (總頁數: 10, 大小: 481.84 KB)
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IDT71256L35Y8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁35ns
訪問時間35ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
供應商設備包裝28-SOJ

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內存大小

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

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安裝類型

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內存接口

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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