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IDT7164L35YG8

IDT7164L35YG8

僅供參考

型號 IDT7164L35YG8
PNEDA編號 IDT7164L35YG8
描述 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,052
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT7164L35YG8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT7164L35YG8
類別半導體內存IC內存

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IDT7164L35YG8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小64Kb (8K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁35ns
訪問時間35ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
供應商設備包裝28-SOJ

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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Surface Mount

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