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IDT71P71604S167BQG8

IDT71P71604S167BQG8

僅供參考

型號 IDT71P71604S167BQG8
PNEDA編號 IDT71P71604S167BQG8
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 5,886
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71P71604S167BQG8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71P71604S167BQG8
類別半導體內存IC內存
數據表
IDT71P71604S167BQG8, IDT71P71604S167BQG8數據表 (總頁數: 24, 大小: 309.92 KB)
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IDT71P71604S167BQG8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, DDR II
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率167MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間8.4ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-CABGA (13x15)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

1.5ms

訪問時間

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

128Kb (8K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

84-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

84-PLCC (29.21x29.21)

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

119-BGA

供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TFBGA

供應商設備包裝

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