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IDT71T75602S200BG8

IDT71T75602S200BG8

僅供參考

型號 IDT71T75602S200BG8
PNEDA編號 IDT71T75602S200BG8
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 8,874
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71T75602S200BG8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71T75602S200BG8
類別半導體內存IC內存

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IDT71T75602S200BG8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.2ns
電壓-供電2.375V ~ 2.625V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱119-BGA
供應商設備包裝119-PBGA (14x22)

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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時鐘頻率

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內存接口

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時鐘頻率

10MHz

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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