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IDT71T75702S80PF

IDT71T75702S80PF

僅供參考

型號 IDT71T75702S80PF
PNEDA編號 IDT71T75702S80PF
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,354
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71T75702S80PF資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71T75702S80PF
類別半導體內存IC內存

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IDT71T75702S80PF規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間8ns
電壓-供電2.375V ~ 2.625V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x14)

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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系列

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內存類型

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

85ns

訪問時間

85ns

電壓-供電

4.75V ~ 5.25V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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