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IDT71V016SA12PHI

IDT71V016SA12PHI

僅供參考

型號 IDT71V016SA12PHI
PNEDA編號 IDT71V016SA12PHI
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,844
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 7 - 十二月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71V016SA12PHI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71V016SA12PHI
類別半導體內存IC內存
數據表
IDT71V016SA12PHI, IDT71V016SA12PHI數據表 (總頁數: 9, 大小: 907.79 KB)
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IDT71V016SA12PHI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (64K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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Renesas Electronics America Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

300µs, 5ms

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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