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IDT71V016SA15YI

IDT71V016SA15YI

僅供參考

型號 IDT71V016SA15YI
PNEDA編號 IDT71V016SA15YI
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 4,824
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71V016SA15YI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71V016SA15YI
類別半導體內存IC內存
數據表
IDT71V016SA15YI, IDT71V016SA15YI數據表 (總頁數: 9, 大小: 907.79 KB)
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IDT71V016SA15YI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (64K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁15ns
訪問時間15ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-SOJ

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內存格式

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內存大小

1Tb (128G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR2

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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