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IDT71V124SA20YI8

IDT71V124SA20YI8

僅供參考

型號 IDT71V124SA20YI8
PNEDA編號 IDT71V124SA20YI8
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,538
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71V124SA20YI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71V124SA20YI8
類別半導體內存IC內存
數據表
IDT71V124SA20YI8, IDT71V124SA20YI8數據表 (總頁數: 8, 大小: 115.83 KB)
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IDT71V124SA20YI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁20ns
訪問時間20ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝32-SOJ

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

7ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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54-VFBGA (8x8)

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

52MHz

寫周期-字,頁

85ns

訪問時間

85ns

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

512Kb (32K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

72Kb (8K x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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