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IDT71V256SA10YI

IDT71V256SA10YI

僅供參考

型號 IDT71V256SA10YI
PNEDA編號 IDT71V256SA10YI
描述 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 3,348
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 8 - 一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71V256SA10YI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71V256SA10YI
類別半導體內存IC內存

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IDT71V256SA10YI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
供應商設備包裝28-SOJ

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

供應商設備包裝

28-SOJ

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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EEPROM

內存大小

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內存接口

Single Wire

時鐘頻率

100kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

144Kb (8K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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