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IDT71V3558S100BQ8

IDT71V3558S100BQ8

僅供參考

型號 IDT71V3558S100BQ8
PNEDA編號 IDT71V3558S100BQ8
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,768
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71V3558S100BQ8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71V3558S100BQ8
類別半導體內存IC內存
數據表
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IDT71V3558S100BQ8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小4.5Mb (256K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-CABGA (13x15)

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訪問時間

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工作溫度

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安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

16-SOIC

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

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