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IDT71V3558S200BQ8

IDT71V3558S200BQ8

僅供參考

型號 IDT71V3558S200BQ8
PNEDA編號 IDT71V3558S200BQ8
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,142
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71V3558S200BQ8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71V3558S200BQ8
類別半導體內存IC內存
數據表
IDT71V3558S200BQ8, IDT71V3558S200BQ8數據表 (總頁數: 28, 大小: 641.97 KB)
PDFIDT71V3558XS133PFI8數據表 封面
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IDT71V3558S200BQ8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小4.5Mb (256K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.2ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-CABGA (13x15)

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-TSSOP

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

52MHz

寫周期-字,頁

95ns

訪問時間

95ns

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LBGA

供應商設備包裝

64-EasyBGA (10x13)

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內存格式

-

技術

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內存大小

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內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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制造商

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系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

32Mb (528 Bytes x 8192 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

15ms

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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