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IDT71V65602S100PFGI8

IDT71V65602S100PFGI8

僅供參考

型號 IDT71V65602S100PFGI8
PNEDA編號 IDT71V65602S100PFGI8
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,282
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71V65602S100PFGI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71V65602S100PFGI8
類別半導體內存IC內存
數據表
IDT71V65602S100PFGI8, IDT71V65602S100PFGI8數據表 (總頁數: 26, 大小: 489.64 KB)
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IDT71V65602S100PFGI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x14)

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

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安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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60ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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